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       随着物联网，大数据和人工智能驱动的新计算时代的发展，对半导体器件的需求日益增长，对器件可靠性与性能指标的要求也更加严苛。以碳化硅为代表的第三代半导体开始逐渐受到市场的重视，国际上已形成完整的覆盖材料，器件，模块和应用等环节的产业链。全球新一轮的产业升级已经开始，正在逐渐进入第三代半导体时代。
       碳化硅，作为发展的最成熟的第三代半导体材料，其宽禁带，高临界击穿电场等优势，是制造高压高温功率半导体器件的优质半导体材料。已在智能电网，轨道交通，新能源，开关电源等领域得到了应用，展现出了优良的性质和广阔的发展前景。

       国内的碳化硅半导体企业如天科合达，山东天岳，瀚天天成，东莞天域以及中国电科55所，中车时代，杨杰科技等也在碳化硅半导体材料及器件制造方面持续的取得了一些进展，全国范围也陆续有相关的项目落地，前景可期。

       然而目前，国内碳化硅产业发展的痛点还是在产业上游晶圆供应不足，SiC材料成本偏高，设备主要依赖进口，前期投入大等问题，这使得SiC器件目前的市场渗透率还是较低。碳化硅行业领军企业安森美半导体表示：SiC晶圆生产工艺的改良是降低SiC功率器件成本的根本方法。

       第五届国际碳材料大会---碳化硅半导体论坛将针对新时代下碳化硅半导体行业如何创新突破完成国产化进程，晶圆制造工艺设备、产业发展趋势，功率器件的设计与优化等方向，邀请来自高校，企业，研究机构的专家学者做相关报告，干货满满，为碳化硅产业提供优质的解决方案，促进产业发展。

       还有产业博览会，项目路演，海报展示，圆桌讨论等同期活动，全方面实现碳化硅半导体行业的产学研结合，为产业链上下游反馈提供平台。
       时间：  2020.11.17—11.20

       地点：  上海跨国采购会展中心

       主办单位：  DT新材料

       支持单位：  中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟   中国磨具磨料网

       承办单位：  宁波德泰中研信息科技有限公司

       合作媒体：  化合物半导体

       论坛主席：  张玉明教授 西安电子科技大学微电子学院

       话题：

       全球半导体产业的新变局新形势

       SiC半导体材料、器件市场

       4寸、6寸 SiC晶圆国产化及更大尺寸衬底制备技术

       SiC单晶加工设备的研究和发展现状

       SiC PVT长晶技术&HTCVD法的现状和发展

       SiC外延片生长、生产方法

       晶圆制造材料如光刻胶，溅射靶材，特种气体研发进程

       先进制造技术的研究进展，eg: 光刻，薄膜沉积，离子注入等

       SiC MOSFET器件技术方面的最新研究进展

       碳化硅功率器件设计及集成技术

       5G+碳化硅半导体应用方向及趋势

       碳化硅在新能源汽车/太阳能光伏/轨道交通等领域应用技术路线和发展前景
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刘小雨 ：13837111415

李君瑶 ：15713673960